产品概述

KRMSVC型高压动态无功补偿装置是MCR、电容器分组投切和变压器有载调压功能为一体的无功补偿及电压优化自动控制装置。MCR是一种“磁阀”式可控饱和电抗器，通过直流控制电流的励磁改变铁芯的磁饱合度，从而达到平滑调节无功输出的目的，由于电容器分组，实现双向无功动态连续调节，另外MCR容量采用只需接近电容器单组大容量，就能达到合理的补偿要求，降低设备的造价，同时运行损耗大大降低。

装置原理和组成

MSVC磁控动态无功补偿成套装置由MSVC主控制屏、磁控电抗器(MCR)支路、补偿(滤波)支路组成，能够实现无功功率的连续动态补偿。其中补偿(滤波)支路主要由电容器、电抗器、放电线圈和保护元件等组成。具有提供容性无功补偿和滤波的功能，磁控电抗器(MCR)支路由磁控电抗器(MCR)主体、ST型移相触发控制装置等组成，具有动态调节无功功率的功能。MSVC主控制屏由MSVC主控单元、智能式过零分合闸控制器、电抗器微机保护、电容器微机保护以及相关附属设备组成。

订货须知

系统额定电压

额定容量（磁控电抗器容量+电容器安装容量）

主变台数

电容器支路分组数

系统谐波背景

安装方式及地点

使用环境

主要特点

●“磁阀”式可控饱和电抗器(MCR)，采用自耦直流励磁技术不需要外接直流励磁电源，由电抗器的内部绕组来实现控制。

●通过对低压可控硅的控制，达到高压系统无功调节，可靠性高，成本低。

●电抗器铁芯处于限磁饱工作方式，使谐波大大减少，而且具有有功损耗低、响应速度快、无功输出连续平滑的特点。

●采用光隔离移相触发技术，光纤传输移相触发，高电位自取电控制，提高了系统绝缘水平，增强了装置抗干扰能力，减少了设备的体积。

功能特点

1、控制系统采用基于DSP芯片的多CPU控制器，具有高度的可靠性和稳定性，而且运算速度快，能够实现复杂的算法。

2、模块化设计，扩展灵活。

3、可控硅采用高质量元件，高压取能，光电触发，BOD保护，系统抗干扰强，运行可靠。

4、监控部分由上位监控机，人机显示界面及其他相应终端器件构成。可以对系统电能质量进行持续监控。

5、可直挂6KV、10KV、35KV、27.5KV电压等级。

6、可实现三相同时控制，分相控制，三相平衡控制。

7、具有硬件保护和后备微机保护。

技术参数

电压等级：6~35KV

额定频率：50Hz

控制精度：0.5%

可控硅冷却方式：自冷、风冷

动态响应时间：〈1000ms

控制方式：无功功率

过载能力：110%

噪音水平：65dB

交流电源

额定电压：三相380V、单相220V

允许偏差：-20%~+40%

频率：AC，50±1Hz

功率：三相380V不大于10KW/相。单相220V不大于3KV

直流电源

额定电压：220V

允许偏差：-10%~+10%

功率：≤550W